ASML表示首批采用High-NA光刻机生产的芯片将在数月内问世

ASML首席执行官Christophe Fouquet周二表示，采用公司新一代High-NA极紫外光刻机生产的首批产品预计将在数月内问世，这标志着半导体行业在追求更小、更高效芯片的道路上迈出了重要一步。

Fouquet在比利时安特卫普举行的imec ITF World大会上发表讲话，称这款新设备有望降低图案化工艺的成本——图案化是制作芯片电路的关键步骤——并将同时服务于逻辑芯片和存储芯片的应用需求。

芯片制造的新纪元

高数值孔径EUV（High-NA EUV）是ASML最新一代光刻技术，数值孔径达到0.55，相比上一代的0.33大幅提升。更大的镜头孔径使芯片特征尺寸的投影缩小幅度最高可达66%，让芯片制造商能够在单次曝光中实现8纳米特征的光刻，无需多次图案化步骤。

这些设备售价高达4亿美元以上，目前已在多家客户处进行测试和验证。英特尔于2025年12月部署了ASML的Twinscan EXE:5200B，三星也在同期收到了首台设备。SK海力士则于2025年9月安装了其设备，以备DRAM量产之需。预计这些早期采用者将于2027至2028年间正式启动High-NA量产。

比利时微电子研究中心（imec）于今年3月收到了其EXE:5200系统，预计将于今年第四季度完成全面验证。

阿斯麦拓展印度业务

就在富凯现身安特卫普的数天前，阿斯麦（ASML）正式与塔塔电子签署合作协议，助力在古吉拉特邦多莱拉建立印度首座商业化300毫米半导体晶圆厂。该协议于周六在印度总理纳伦德拉·莫迪与荷兰首相罗布·杰滕的见证下签署，阿斯麦将为其提供光刻技术，支持包括28纳米在内的多种制程节点的量产。

阿斯麦于4月上调了2026年全年营收预期，预计将达到360亿至400亿欧元，并指出人工智能驱动的需求已导致芯片供应滞后于市场消费。上季度，存储芯片订单首次超越逻辑芯片订单，这一趋势源于DRAM制造商纷纷争抢EUV产能，以保障高带宽内存的生产。